日韩国产欧美精品一区二区三区,亚洲男女自偷自拍图片另类,亚洲欧美久久久,亚洲国产成人一区

<cite id="kgsum"></cite>

<li id="kgsum"></li>

<tfoot id="kgsum"><delect id="kgsum"></delect></tfoot>

<tfoot id="kgsum"><delect id="kgsum"></delect></tfoot>

<rt id="kgsum"><tr id="kgsum"></tr></rt>

<bdo id="kgsum"><source id="kgsum"></source></bdo>

<rt id="kgsum"><delect id="kgsum"></delect></rt>

<li id="kgsum"><source id="kgsum"></source></li><center id="kgsum"><acronym id="kgsum"></acronym></center>

曙海教育集團論壇 → ARM專區(qū) → 面積減半采用Z-RAM技術(shù)新型DRAM問世

下一主題 >> << 上一主題

共有9848人關(guān)注過本帖樹形打印主題：面積減半采用Z-RAM技術(shù)新型DRAM問世

美女呀，離線，留言給我吧！

wangxinxin

小大 1樓 個性首頁 | 博客 | 信息 | 搜索 | 郵箱 | 主頁 | UC

等級：青蜂俠帖子：1393 積分：14038 威望：0 精華：0 注冊：2010-11-12 11:08:23

面積減半采用Z-RAM技術(shù)新型DRAM問世 發(fā)帖心情

發(fā)帖心情

Post By：2010-11-18 13:51:46

以下內(nèi)容含腳本,或可能導致頁面不正常的代碼
<!--Content Begin--> <p style="LINE-HEIGHT: 150%"><font face="Verdana">　　一家瑞士新興公司（Innovative Silicon Inc）已經(jīng)開發(fā)出一種極具潛力的、革命性的90納米DRAM技術(shù)，據(jù)稱該技術(shù)可改善<a class="keyword" href="http://product.pcpop.com/Memory/00000_1.html" target="_blank">內(nèi)存</a>組件的速度、尺寸與功耗等方面。</font> <p style="LINE-HEIGHT: 150%"><font face="Verdana">　　Innovative Silicon公司表示，與傳統(tǒng)DRAM單元相較，采用其Z-RAM技術(shù)設計存儲單元在面積上減少一半，而執(zhí)行速度更快且功耗更低。不過，該技術(shù)還面臨一些問題，包括專利狀況，以及它是否有能力參與幾乎無回報的嵌入式DRAM市場競爭。</font> <p style="LINE-HEIGHT: 150%"><font face="Verdana" color="#0000ff">　　Innovative公司的DRAM單元不是采用存儲在電容器中的電荷來表示信息，而是透過在一個傳統(tǒng)絕緣硅(SOI)MOSFET的信道下擷取電荷來存儲數(shù)據(jù)。這種電荷會增大浮體效應(Foating-Body Effect)，但同時也被認為是SOI設計中的最大問題，以及導致SOI高速切換的禍源。截止目前為止，它從未在商業(yè)上作為存儲介質(zhì)。</font> <p style="LINE-HEIGHT: 150%"><font face="Verdana">　　但這并非新的理念。早在1990年，比利時IMEC的一位研究人員就獲得了在動態(tài)<a class="keyword" href="http://product.pcpop.com/Memory/00000_1.html" target="_blank">內(nèi)存</a>中使用浮體效應的原始專利，Innovative公司總裁兼執(zhí)行長Mark-Eric Jones介紹道。不過，IMEC最后認為這個概念不可行并放棄了它。“他們讓這個專利失效了。”他補充道。</font> <p style="LINE-HEIGHT: 150%"><font face="Verdana">　　然而，并非所有人都對此失去了興趣。Innovative公司合伙人兼技術(shù)長Pierre Fazan就是那些重新拾起此概念并從新的角度進行嘗試的人員之一。2001年，F(xiàn)azan在一篇論文中首次采用這些原理描述了一種概念性的DRAM單元。2002年Innovative公司成立。與此同時，其它公司的研究人員也注意到了這種技術(shù)：一些日本半導體公司發(fā)表了相關(guān)文章，<a class="keyword" href="http://product.pcpop.com/Memory/00171_1.html" target="_blank">IBM</a>也開始審議該技術(shù)。</font> <p style="LINE-HEIGHT: 150%"><font face="Verdana">　　Innovative公司存儲單元最出色之處就是結(jié)構(gòu)簡單。它由單個晶體管構(gòu)成，其源極連接到選擇線，漏極連接完整線，柵極連接到字線。當施加足夠高的漏極電壓時，源極電流的大小取決于存儲在晶體管浮體中的電荷數(shù)量。如果在活動區(qū)出現(xiàn)空穴，電流將迅速增大。如果在活動區(qū)擷取了電子，電流將隨電壓逐步增高，并達到一個較低的最大值。</font> <p style="LINE-HEIGHT: 150%" align="center"><a href="http://www.pcpop.com/pcpopimg/05/4/11-17-41-31-663998571.gif" target="_blank"><img src="http://www.pcpop.com/pcpopimg/05/4/11-17-41-31-130783131.gif" border="0"/></a> <p style="LINE-HEIGHT: 150%" align="center"><font face="Verdana"></font> <font face="Verdana" color="#ff0000"> <div align="center"><a href="http://document.pcpop.com/App/ImageShow.aspx?category=article&sn=000021303" target="_blank" alt="面積減半采用Z-RAM技術(shù)新型DRAM問世"></a></div></font> <p style="LINE-HEIGHT: 150%" align="center"><font face="Verdana" color="#ff0000">Z-RAM存儲結(jié)構(gòu)示意圖，S=源極、D=漏極、Vss=源極電壓、Vdd=漏極電壓，圖中a的狀態(tài)代表邏輯“1”，b的狀態(tài)代表邏輯“0”</font> <p style="LINE-HEIGHT: 150%"><font face="Verdana">　　Innovative還必須考慮其它問題。其中之一是被擷取的電荷不能永久存在。透過熱電子電離或者band-to-band的隧道效應，可以向晶體管的浮體注入電荷，因而實現(xiàn)向存儲單元寫入數(shù)據(jù)。前一種技術(shù)速度極快，而后一種技術(shù)功耗極低，這使得Innovative公司幾乎免費獲得了該技術(shù)的高速和低功耗兩種版本。而問題是透過重新結(jié)合，電荷會逐漸消失，因此存儲單元必須不斷刷新。Fazan表示，幸運的是，在工作溫度下，存儲單元的保持時間與傳統(tǒng)DRAM類似，所以可以采用相同的刷新速率。</font> <p style="LINE-HEIGHT: 150%"><font face="Verdana">　　“這當然是一種值得關(guān)注的技術(shù)，”<a class="keyword" href="http://product.pcpop.com/Memory/00171_1.html" target="_blank">IBM</a>半導體技術(shù)分析師Jack Mandelman強調(diào)，“不過，它存在很多潛在問題，包括時序問題以及相鄰單元間的相互影響。”</font> <p style="LINE-HEIGHT: 150%"><font face="Verdana">　　但其優(yōu)點也非常突出，例如在密度和性能方面。Innovative公司宣布已經(jīng)開發(fā)出90納米組件，讀寫時間低于3奈秒，一個位單元面積為0.18平方微米。目前，該公司正制造90納米的Mb級存儲數(shù)組。</font> <p style="LINE-HEIGHT: 150%"><font face="Verdana">　　另一個優(yōu)點是該<a class="keyword" href="http://product.pcpop.com/Memory/00000_1.html" target="_blank">內(nèi)存</a>可以采用普通SOI CMOS邏輯制程制造。如果采用SOI進行設計，無需改變標準邏輯制程，Z-RAM就適用于嵌入式<a class="keyword" href="http://product.pcpop.com/Memory/00000_1.html" target="_blank">內(nèi)存</a>數(shù)組。</font> <p style="LINE-HEIGHT: 150%"><font face="Verdana">　　目前，Innovative計劃以單純的IP授權(quán)模式來進軍嵌入式DRAM市場。它將授權(quán)硬IP，或者將向希望自行開發(fā)<a class="keyword" href="http://product.pcpop.com/Memory/00000_1.html" target="_blank">內(nèi)存</a>的客戶授權(quán)底層技術(shù)并提供培訓。而且，該公司還在開發(fā)一種<a class="keyword" href="http://product.pcpop.com/Memory/00000_1.html" target="_blank">內(nèi)存</a>編譯器，也將授權(quán)給客戶。</font> <p style="LINE-HEIGHT: 150%"><font face="Verdana">　　對技術(shù)不成熟或經(jīng)濟上不具競爭力的新興公司，嵌入式DRAM市場將會是它們的惡夢。NEC可能是目前唯一看好該領(lǐng)域的公司。NEC定制LSI部門的副總裁兼總經(jīng)理Philip LoPresti表示，該公司已經(jīng)看到客戶對其MIM(金屬-絕緣體-金屬)電容器嵌入式DRAM制程表現(xiàn)出興趣，尤其是在90納米方面。</font> <p style="LINE-HEIGHT: 150%"><font face="Verdana">　　此外，在一塊90納米芯片上可以放置的<a class="keyword" href="http://product.pcpop.com/Memory/00000_1.html" target="_blank">內(nèi)存</a>數(shù)量，使得嵌入式DRAM正超越訊框緩沖存儲器器或高速暫存<a class="keyword" href="http://product.pcpop.com/Memory/00000_1.html" target="_blank">內(nèi)存</a>等應用。Innovative公司的Jones預計，這也將成為有利于公司發(fā)展的要素。“憑借比其它DRAM更小的面積和更高的速度，我們不再只關(guān)注專用的緩沖存儲器，”Jones表示，“這種DRAM速度快、密度大，足以作為ARM類<a class="keyword" href="http://product.pcpop.com/CPU/00000_1.html" target="_blank">處理器</a>的L2高速緩沖存儲器，或高階<a class="keyword" href="http://product.pcpop.com/Workstation/00000_1.html" target="_blank">工作站</a><a class="keyword" href="http://product.pcpop.com/CPU/00000_1.html" target="_blank">CPU</a>的L3高速緩沖存儲器，同時能獲得比SRAM更低的功耗和更大的密度。”</font> <p style="LINE-HEIGHT: 150%"><font face="Verdana">　　前景是令人向往的，但也并非一片坦途。例如，浮體效應只在SOI中是重要的，這限制了Innovative公司的市場空間。迄今為止，只有少數(shù)芯片是采用SOI制程生產(chǎn)的，包括<a class="keyword" href="http://product.pcpop.com/Memory/00171_1.html" target="_blank">IBM</a>的Power <a class="keyword" href="http://product.pcpop.com/CPU/00000_1.html" target="_blank">CPU</a>、<a class="keyword" href="http://product.pcpop.com/CPU/00500_1.html" target="_blank">AMD</a>的<a class="keyword" href="http://product.pcpop.com/CPU/00000_1.html" target="_blank">CPU</a>產(chǎn)品線，以及Sony和Toshiba正為下一代Playstation開發(fā)的芯片。這些產(chǎn)品都沒有采用傳統(tǒng)ASIC設計，而且每一種產(chǎn)品都需要設計團隊付出巨大努力。</font> <p style="LINE-HEIGHT: 150%"><font face="Verdana">　　Innovative公司要解決的另一個問題將是與<a class="keyword" href="http://product.pcpop.com/Memory/00171_1.html" target="_blank">IBM</a>之間的專利之爭。“在Fazan發(fā)表原始論文之后還有許多工作要做，”<a class="keyword" href="http://product.pcpop.com/Memory/00171_1.html" target="_blank">IBM</a>的Mandelman說，“Toshiba已經(jīng)發(fā)表了描述一種類似單元的論文。而我們涉及開發(fā)了IP以解決與原始工作有關(guān)的問題。”</font> <!--Content End--></div>
說明：上面顯示的是代碼內(nèi)容。您可以先檢查過代碼沒問題，或修改之后再運行.

支持(0) 中立(0) 反對(0) 單帖管理 | 引用 | 回復

回到頂部

下一主題 >> << 上一主題

返回版面帖子列表面積減半采用Z-RAM技術(shù)新型DRAM問世

RSS2.0　　Xhtml無圖版　　 Xslt無圖版 Copyright © 2000 - 2009 曙海教育集團 Powered By 曙海教育集團 Version 2.2
頁面執(zhí)行時間 0.03125 秒, 3 次數(shù)據(jù)查詢

主站蜘蛛池模板：化州市| 惠州市| 锦州市| 布尔津县| 旬阳县| 延吉市| 靖西县| 平武县| 新田县| 雷州市| 称多县| 襄城县| 平遥县| 东乡族自治县| 漳浦县| 阜平县| 赤壁市| 永宁县| 朝阳区| 申扎县| 迭部县| 乌鲁木齐县| 邯郸县| 泾川县| 特克斯县| 青铜峡市| 宽城| 霍州市| 桂阳县| 玉龙| 安义县| 吐鲁番市| 曲松县| 视频| 军事| 香港| 新泰市| 桃江县| 南安市| 高邑县| 龙门县|

<strike id="sqayg"></strike>

<abbr id="sqayg"><source id="sqayg"></source></abbr>

<bdo id="sqayg"></bdo><tfoot id="sqayg"><delect id="sqayg"></delect></tfoot><li id="sqayg"></li>

<button id="sqayg"></button>